No presente trabalho, dispositivos baseados na molécula de fulereno C60 com três diferentes espessuras (138 nm, 163 nm e 226 nm) foram fabricados através do método de evaporação e foram caracterizados eletricamente. Ao utilizar a aplicação de corrente contínua, foi possível observar a formação de uma barreira de Schottky com valores variando de 0,48 eV a 0,79 eV, dependendo do modelo utilizado para a análise. Com relação às técnicas de corrente alternada (espectroscopia de admitância e perfil C-V) observou-se a formação de estados de interface com o aumento da espessura dos dispositivos, resultado confirmado através de simulação de circuitos equivalentes. Além disso, foi possível confirmar a natureza de material tipo-n do fulereno C60 e também obter a densidade local de portadores de carga dos dispositivos (da ordem de 1018 cm−3