A família de materiais do Bi2Se3 são termoelétricos conhecidos amplamente aplicados na indústra, que na última década receberam interesse renovado como um dos primeiros isolantes topológicos 3D previstos. Com um único cone de Dirac responsável pelos estados de superíficie topologicamente protegidos e um grande gap de banda de mais de 200 meV, aplicações práticas dos elétrons de Dirac relativísticos estão sendo limitadas pela presença dominante de elétrons volumétricos em fenômenos de transporte. Consequentemente, suprimir esses estados volumétricos é de grande interesse para tecnologias do futuro, como a computação quântica ou a spintrônica. Com suas origens em defeitos estruturais inerentes ao material, as propriedades destes elétrons podem ser sintonizadas simplesmente pelo método de crescimento do monocristal, sem a necessidade de dopagens externas. O objetivo principal dessa dissertação é utilizar o método de auto-fluxo para obter monocristais de Bi2Se3 na faixa inteira de concentração de Bi:Se disponível no diagrama de fases, buscando explorar os diferentes defeitos presentes na estrutura. Através da difração em pó de raios-X (PXRD) e da espectroscopia de raios-X por dispersão em energia (EDS), mudanças nos defeitos estruturais foram confirmadas. Medidas de efeito Hall mostraram que todas as amostras são do tipo-n, com concentrações eletrônicas indo de 1017 cm−3 até 1019 cm−3 em amostras ricas em Se e Bi, respectivamente. O espalhamento por fônons se mostrou dominante em altas temperaturas, resultando em um típico comportamente metálico na resistividade. Já em baixas temperaturas, o espalhamento é feito principalmente por impurezas ionizadas, chegando a atingindo mobilidades eletrônicas de até 104 cm2V−1 s −1 . Oscilações quânticas de Shubnikov-de Haas na magnetoresistência evidenciam que o nível de Fermi está dentro da banda de condução, e comparando a frequência com a densidade eletrônica pelo efeito Hall, a superfície de Fermi pode ser reconstruída. Além disso, pela análise cautelosa da fase de oscilação considerando o efeito Zeeman do Bi2Se3, foi possível classificar os elétrons volumétricos como topologicamente triviais, resolvendo algumas contradições anteriormente encontradas na literatura. Com amostras de baixa e também alta densidade de elétrons compondo o estudo, este trabalho também apresentou uma visão unificada dos estados volumétricos, trazendo uma revisão de resultados anteriores e discutindo muitas perguntas ainda sem respostas da literatura relevante.