Os fônons desempenham um papel fundamental no transporte eletrônico e térmico de materiais bidimensionais (2D), crucial para as aplicações em dispositivos. Neste trabalho, estudamos as propriedades vibracionais e eletrônicas do GaS e do WS2 em duas dimensões, por meio de amostras suspensas e suportadas. A caracterização do dissulfeto de tungstênio (WS2) foi realizada por meio de espectroscopias Raman e de Fotoluminescência (PL), para observarmos a influência do substrato de Si3N4, em suas propriedades ópticas. Enquanto a caracterização do sulfeto de gálio (GaS) foi realizada por meio do espectro Raman para investigarmos a dependência da temperatura de seus modos mais intensos ��1�� 1 e ��1�� 2 . Nossos resultados sobre o GaS mostram que as frequências Raman desses dois fônons suavizam com o aumento da temperatura com diferentes coeficientes θ = ∂ω / ∂T. O coeficiente de temperatura de primeira ordem θ do modo ��1�� 2 é ∼ -0,016 cm − 1 / K, independentemente do número de camadas e do substrato. Por outro lado, o θ do modo ��1�� 1 é menor para GaS de duas camadas e constante para amostras mais espessas (∼ -0,0062 cm − 1 / K). Nesta pesquisa, nossos resultados lançam uma nova luz sobre a influência do substrato e do número de camadas nas propriedades termo vibracionais de GaS de poucas camadas, fundamentais para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de GaS atomicamente finos. Além disso, mostram que o substrato Si3N4 influencia as propriedades ópticas do WS2 de camada única. Em consequência disso, buscamos esclarecer as causas da evanescência da PL observado experimentalmente, com base em cálculos dentro da teoria funcional da densidade (TFD) para estudar a estabilidade termodinâmica da heterojunção, utilizando simulações de dinâmica molecular quântica (DMQ) bem como o alinhamento eletrônico dos níveis de energia em ambos os materiais. Nossas análises revelam que, junto com a deformação, um mecanismo de transferência de carga desempenha um papel importante para a diminuição da fotoluminescência.