O presente trabalho investigou as propriedades optoeletrônicas de filmes finos de TiNx depositados por plasma em substratos de vidro com uso de gaiola catódica de titânio. Os filmes foram produzidos a 400°C por 4 horas com uma mistura nitrogênio-argônio na proporção de 10%, 22% e 50% de nitrogênio em potencial flutuante. Os filmes finos foram examinados por microscopia eletrônica de varredura (MEV), microscopia de força atômica (AFM) espectroscopia UV-VIS-NIR, espectroscopia Raman, elipsometria e lente térmica. As medidas realizadas no MEV e AFM forneceram informações sobre a espessura e rugosidade dos filmes depositados. Os resultados da espectroscopia Raman e UV-VIS-NIR indicaram a formação de filmes finos de TiNx subestequiométricos. Os filmes preparados com uma mistura nitrogênio-argônio na proporção de 10% apresentaram maior reflectância principalmente na região do infravermelho bem como menor transmitância, a partir da região do visível e do infravermelho, e maior estequiometria. O aumento da proporção nitrogênio-argônio acompanha a diminuição da reflectância na região espectral do infravermelho ao mesmo tempo que o aumento da transmitância na mesma região, indicando que o excesso de nitrogênio na composição dos filmes resulta em comportamento não desejado para uso dos filmes como espelhos térmicos. As medidas elipsométricas e de lente térmica proporcionaram a relação entre as propriedades optoeletrônicas e térmicas e a estequiometria dos filmes.